类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-262-3 |
功耗 | 200 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 200 W |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
通孔 N 通道 56A(Tc) 200W(Tc) I2PAK(TO-262)
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75639P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639P3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Intersil(英特矽尔)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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