类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
功耗 | 200W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
下降时间 | 25 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Rail |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 100 V 56A(Tc) 200W(Tc) D²PAK(TO-263AB)
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.79 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
HUF75639S3S 系列 N 沟道 100 V 0.025 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-263AB
Intersil(英特矽尔)
56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
56A , 115V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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