类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 77.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 38W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 38 W |
耗散功率(Max) | 38W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Fairchild(飞兆/仙童)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Intersil(英特矽尔)
11A , 60V , 0.107 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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