| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-251-3 |
| 功耗 | 38W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 38W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Fairchild（飞兆/仙童）
11A ， 60V ， 0.107 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
3.5A ， 60V ， 0.105欧姆，双N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
HUF76407D3S 系列60 V 0.092 Ohm N沟道 逻辑 UltraFET 功率 Mosfet-TO-252AA
Fairchild（飞兆/仙童）
12A ， 60V ， 0.107 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
11A ， 60V ， 0.107 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
3.5A ， 60V ， 0.105欧姆，双N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Intersil（英特矽尔）
11A ， 60V ， 0.107 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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