| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 17.0 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 漏源极电阻 | 52.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 49W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 485pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 49W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA76409D3ST, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
17A ， 60V ， 0.071 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
Fairchild（飞兆/仙童）
17A ， 60V ， 0.070 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
17A ， 60V ， 0.071 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
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