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IDD12SG60C
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IDD12SG60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:TVS二极管
封装:TO-252-3
描述:第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
PDF文件:IDD12SG60C 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IDD12SG60C 数据手册 (7 页)
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IDD12SG60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率125 W
负载电流12 A
反向恢复时间0 ns
最大正向浪涌电流59 A
正向电压(Max)2.1V @12A
正向电流(Max)12 A
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)125000 mW
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IDD12SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.26 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IDD12SG60C 数据手册

IDD12SG60C 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IDD12SG60 数据手册

IDD12SG60C 数据手册
Infineon（英飞凌）
第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDD12SG60CXTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
IDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3
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