| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电流 | 10.0 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 35.0 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 mA |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v
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●栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -25v
●漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 12~60ma
●关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -1~-6.5v
●耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W
●Description & Applications| •N–Channel JFETs •Excellent High Frequency Gain:Gps 11.5 dB @ 450 MHz •Very Low Noise: 2.7 dB @ 450 MHz •Very Low Distortion •High ac/dc Switch Off-Isolation
●描述与应用| •N沟道JFETs •优秀的高频增益：GPS11.5分贝@450兆赫 •非常低噪声：2.7分贝@450兆赫 •非常低的失真 •高AC / DC开关关断隔离
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