| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-220-2 |
| 额定功率 | 42 W |
| 负载电流 | 3 A |
| 正向电压 | 1.7V @3A |
| 功耗 | 42 W |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 3 A |
| 最大正向浪涌电流 | 31 A |
| 正向电压(Max) | 2.1 V |
| 正向电流(Max) | 3 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.2 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon
●Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
●降低的 EMI
Infineon（英飞凌）
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thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON IDH03G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220
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