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IXFH12N90P
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IXFH12N90P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
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IXFH12N90P 数据手册 (4 页)
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IXFH12N90P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.9 Ω
极性N-Channel
功耗380 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间34 ns
输入电容值(Ciss)3080pF @25V(Vds)
下降时间68 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380W (Tc)
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IXFH12N90P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXFH12N90P 数据手册

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