| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-220-2 |
| 正向电压 | 1.7V @4A |
| 功耗 | 48 W |
| 热阻 | 3.1℃/W (RθJC) |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 4 A |
| 最大正向浪涌电流 | 38 A |
| 正向电压(Max) | 2.1 V |
| 正向电流(Max) | 4 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 48000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.2 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon
●Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
●降低的 EMI
●### 二极管和整流器，Infineon
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IDH04G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon（英飞凌）
INFINEON IDH04G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon（英飞凌）
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
Infineon（英飞凌）
Infineon 二极管 IDH04G65C5XKSA2 肖特基, Io=4A, 2引脚 TO-220封装
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