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ZXMN10A08GTA
来自 AiPCBA

ZXMN10A08GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:Diodes（美台）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:ZXMN10A08G 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-223-3
PDF文件:ZXMN10A08GTA 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
ZXMN10A08GTA 数据手册 (7 页)
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ZXMN10A08GTA 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
极性N-CH
功耗3.9 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)2A
上升时间2.2 ns
输入电容值(Ciss)405pF @50V(Vds)
额定功率(Max)1.4 W
下降时间3.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3900 mW
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ZXMN10A08GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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ZXMN10A08GTA 数据手册

ZXMN10A08GTA 数据手册
Diodes（美台）
7 页 / 0.5 MByte
ZXMN10A08GTA 开发手册
Diodes（美台）
8 页 / 0.5 MByte
ZXMN10A08GTA 产品封装文件
Diodes（美台）
8 页 / 0.17 MByte
ZXMN10A08GTA 其他参考文件
Diodes（美台）
1 页 / 0.15 MByte

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