| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-220-2 |
| 正向电流 | 41000 mA |
| 正向电流(Max) | 41000 mA |
| 耗散功率(Max) | 108000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
Infineon（英飞凌）
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thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
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IDH20G65C5 系列 650V 20A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-2
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二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Infineon（英飞凌）
Infineon 二极管 IDH20G65C5 肖特基, Io=20A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装
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