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IXFN110N85X
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IXFN110N85X 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:SOT-227-4
描述:N沟道 850V 110A
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焊盘图
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IXFN110N85X 数据手册 (5 页)
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IXFN110N85X 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
极性N-CH
功耗1170 W
漏源极电压(Vds)850 V
连续漏极电流(Ids)110A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)17000pF @25V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1170000 mW

IXFN110N85X 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active

IXFN110N85X 数据手册

IXFN110N85X 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
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IXFN110N85 数据手册

IXFN110N85X 数据手册
IXYS Semiconductor
N沟道 850V 110A
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