| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 305 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 305 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 305 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ |
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V
●一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
● 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
● 极低的 VCEsat
● 低断开损耗
● 短尾线电流
● 低 EMI
● 最大接点温度为 175°C
Infineon（英飞凌）
16 页 / 1.92 MByte
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.45 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKW50N65F5FKSA1 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKW50N65H5FKSA1 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKW50N65H5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKW50N65F5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
IGBT 晶体管 Trenchstop 5 IGBT
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
