类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.8 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 25 W |
阈值电压 | 3.75 V |
漏源极电压(Vds) | 900 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 590pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 25 W |
下降时间 | 18 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 25W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 16.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STP3NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
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