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SBC857BDW1T1G
来自 AiPCBA

SBC857BDW1T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
PDF文件:SBC857BDW1T1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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SBC857BDW1T1G 数据手册 (7 页)
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SBC857BDW1T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数6 Pin
封装SC-70-3
极性PNP
功耗0.38 W
击穿电压(集电极-发射极)45 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数220 @2mA, 5V
额定功率(Max)380 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380 mW
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SBC857BDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SBC857BDW1T1G 数据手册

SBC857BDW1T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
SBC857BDW1T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.15 MByte
SBC857BDW1T1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.18 MByte
SBC857BDW1T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.04 MByte

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