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IPA083N10N5XKSA1
来自 AiPCBA

IPA083N10N5XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA083N10N5XKSA1 数据手册 (11 页)
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焊盘图
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IPA083N10N5XKSA1 数据手册 (11 页)
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IPA083N10N5XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率36 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0072 Ω
极性N-CH
功耗36 W
阈值电压2.2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)44A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)2730pF @50V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)36W (Tc)
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IPA083N10N5XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
宽度4.85 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPA083N10N5XKSA1 数据手册

IPA083N10N5XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1.8 MByte
IPA083N10N5XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA083N10N5XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
75 页 / 0.28 MByte
IPA083N10N5XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V
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