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SI3443DDV-T1-GE3
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SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
PDF文件:SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 (12 页)
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SI3443DDV-T1-GE3 数据手册 (12 页)
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SI3443DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOT-23-6
功耗1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
漏源极电压(Vds)20 V
输入电容值(Ciss)970pF @10V(Vds)
耗散功率(Max)1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
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SI3443DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI3443DDV-T1-GE3 数据手册

SI3443DDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
12 页 / 0.24 MByte
SI3443DDV-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
11 页 / 0.23 MByte

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