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IPA50R190CEXKSA2
来自 AiPCBA

IPA50R190CEXKSA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
PDF文件:IPA50R190CEXKSA2 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPA50R190CEXKSA2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率32 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.17 Ω
极性N-CH
功耗32 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)18.5A
上升时间8.5 ns
输入电容值(Ciss)1137pF @100V(Vds)
额定功率(Max)32 W
下降时间7.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)32W (Tc)
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IPA50R190CEXKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA50R190CEXKSA2 数据手册

IPA50R190CEXKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.35 MByte
IPA50R190CEXKSA2 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA50R190CEXKSA2 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPA50R190CEXKSA2 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPA50R190 数据手册

IPA50R190CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
500V,18.5A,190mOhm,N沟道功率MOSFET
IPA50R190CEXKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V
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