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IPA50R199CPXKSA1
来自 AiPCBA

IPA50R199CPXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:INFINEON  IPA50R199CPXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA50R199CPXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPA50R199CPXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPA50R199CPXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
额定功率139 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗139 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)550 V
连续漏极电流(Ids)17.0 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1800pF @100V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)139000 mW
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IPA50R199CPXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Rail, Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
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IPA50R199CPXKSA1 数据手册

IPA50R199CPXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.54 MByte
IPA50R199CPXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.54 MByte
IPA50R199CPXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
27 页 / 1.55 MByte
IPA50R199CPXKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.11 MByte

IPA50R199 数据手册

IPA50R199CPXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA50R199CPXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
IPA50R199CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPA50R199CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
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