| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 增益频宽积 | 110 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 125 @800mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 3 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.57 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 110MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 220 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −550mV/-0.55V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.56W Description & Applications| Bipolar Power Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available • High DC Current Gain • Low Collector −Emitter Saturation Voltage • SOT−223 Surface Mount Packaging 描述与应用| 双极功率晶体管PNP硅 特点 •无铅包可用 •高直流电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •SOT-223表面贴装包装
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双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon
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