| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 33 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 270 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 33 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1100pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 33W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.65 mm |
| 宽度 | 4.85 mm |
| 高度 | 16.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R299CPXKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
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Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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