类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 150 V |
额定电流 | 37.0 A |
封装 | D2PAK-3 |
漏源极电阻 | 50.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 178 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 3.20 nF |
栅电荷 | 100 nC |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
漏源击穿电压 | 150 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 37.0 A |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
最小包装数量 | 800 |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 37安培, 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK
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