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IPA80R1K4CEXKSA2
来自 AiPCBA

IPA80R1K4CEXKSA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N-沟道 800 V 1400 mΩ 23 mΩ CoolMOS CE 功率 晶体管 - TO-220FP
PDF文件:IPA80R1K4CEXKSA2 数据手册 (15 页)
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IPA80R1K4CEXKSA2 数据手册 (15 页)
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IPA80R1K4CEXKSA2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.22 Ω
极性N-CH
功耗31 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)3.9A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)570pF @100V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)31W (Tc)
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IPA80R1K4CEXKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.65 mm
宽度4.85 mm
高度16.15 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA80R1K4CEXKSA2 数据手册

IPA80R1K4CEXKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.02 MByte
IPA80R1K4CEXKSA2 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA80R1K4CEXKSA2 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPA80R1K4CEXKSA2 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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