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IPA80R1K4P7XKSA1
来自 AiPCBA

IPA80R1K4P7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPA80R1K4P7XKSA1 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPA80R1K4P7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1.2 Ω
功耗24 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)800 V
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)250pF @500V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)24W (Tc)
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IPA80R1K4P7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPA80R1K4P7XKSA1 数据手册

IPA80R1K4P7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.94 MByte
IPA80R1K4P7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPA80R1K4P7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPA80R1K4P7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPA80R1K4P7XKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

IPA80R1K4P7 数据手册

IPA80R1K4P7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
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