类型 | 描述 |
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封装 | D2PAK |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 80 V |
连续漏极电流(Ids) | 120A |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB025N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB025N08N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor
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