Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPB065N15N3GE8187ATMA1 Datasheet 文档
IPB065N15N3GE8187ATMA1
来自 AiPCBA

IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
PDF文件:IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPB065N15N3GE8187ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-7
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)150 V
输入电容值(Ciss)7300pF @75V(Vds)
耗散功率(Max)300W (Tc)
查看数据手册 >

IPB065N15N3GE8187ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册

IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.62 MByte
IPB065N15N3GE8187ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte

IPB065N15N3GE8187 数据手册

IPB065N15N3GE8187ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet