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IPB025N10N3G

来自 AiPCBA

IPB025N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-263
描述:	100V,180A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:	IPB025N10N3G 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IPB025N10N3G 数据手册 (9 页)

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IPB025N10N3G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	7 Pin
封装	TO-263
极性	N-Channel
漏源极电压(Vds)	100 V
上升时间	58 ns
下降时间	28 ns

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IPB025N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
工作温度	-55℃ ~ 175℃

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IPB025N10N3G 符合标准

IPB025N10N3G 数据手册

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