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IPB031N08N5
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IPB031N08N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-263-3
描述:N沟道 80V 120A
PDF文件:IPB031N08N5 数据手册 (12 页)
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IPB031N08N5 数据手册 (12 页)
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IPB031N08N5 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-263-3
极性N-CH
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)120A
上升时间18 ns
下降时间12 ns
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IPB031N08N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB031N08N5 数据手册

IPB031N08N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPB031N08 数据手册

IPB031N08N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V
IPB031N08N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 80V 120A
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