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IPB036N12N3 G
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IPB036N12N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-7
描述:INFINEON  IPB036N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 120 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB036N12N3 G 数据手册 (9 页)
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IPB036N12N3 G 数据手册 (9 页)
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IPB036N12N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数7 Pin
封装TO-263-7
针脚数7 Position
漏源极电阻0.0029 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)120 V
上升时间52 ns
输入电容值(Ciss)13800pF @60V(Vds)
下降时间21 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IPB036N12N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB036N12N3 G 数据手册

IPB036N12N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.61 MByte
IPB036N12N3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB036N12N3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPB036N12N3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPB036N12N3 数据手册

IPB036N12N3 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPB036N12N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB036N12N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 120 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3 V
IPB036N12N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB036N12N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 120 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3 V
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Infineon（英飞凌）
120V,180A,N沟道功率MOSFET
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