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IPB039N10N3 G
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IPB039N10N3 G 数据手册 (18 页)
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IPB039N10N3 G 技术参数、封装参数

IPB039N10N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

IPB039N10N3 G 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
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IPB039N10N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3GATMA1, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB039N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.7 V
Infineon(英飞凌)
100V,160A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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