| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | TO-263-7 |
| 针脚数 | 7 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0033 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 214 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 59 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 8410pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 214 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 214W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
18 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3GATMA1, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPB039N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.7 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
