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IXFN60N60
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IXFN60N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:中高压MOS管
封装:SOT-227-4
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V
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IXFN60N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流60.0 A
封装SOT-227-4
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-Channel
功耗600 W
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间52 ns
隔离电压2.5 kV
输入电容值(Ciss)15000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)700 W
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
工作结温(Max)150 ℃
耗散功率(Max)700W (Tc)
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IXFN60N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
宽度25.42 mm
重量0.04 kg
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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