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IPB042N10N3G
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IPB042N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-2
描述:100V,100A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPB042N10N3G 数据手册 (11 页)
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焊盘图
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IPB042N10N3G 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-2
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)100 V
输入电容值(Ciss)6320pF @50V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)214 W
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IPB042N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
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IPB042N10N3G 数据手册

IPB042N10N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.51 MByte

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