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IPB042N10N3G
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IPB042N10N3G 技术参数、封装参数

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IPB042N10N3G 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IPB042N10N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
100V,100A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB042N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.7 V
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Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 137A
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