| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 70.0 V |
| 额定电流 | 200 A |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 额定功率 | 520 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.006 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 520 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 70 V |
| 漏源击穿电压 | 70 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 隔离电压 | 2.50 kV |
| 输入电容值(Ciss) | 9000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 520 W |
| 下降时间 | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 520W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 38.23 mm |
| 宽度 | 25.42 mm |
| 高度 | 9.6 mm |
| 重量 | 44.0 g |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
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