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IPB042N10N3GE8187ATMA1
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗214W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间59 ns
输入电容值(Ciss)8410pF @50V(Vds)
额定功率(Max)214 W
下降时间14 ns
耗散功率(Max)214W (Tc)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册

IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.73 MByte
IPB042N10N3GE8187ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 1.7 MByte

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