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IPB042N10N3GXT
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IPB042N10N3GXT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:D2PAK
PDF文件:IPB042N10N3GXT 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3GXT 数据手册 (11 页)
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IPB042N10N3GXT 技术参数、封装参数

类型描述
封装D2PAK
极性N-CH
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间59 ns
下降时间14 ns
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IPB042N10N3GXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB042N10N3GXT 数据手册

IPB042N10N3GXT 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.51 MByte

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