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IPB09N03LA
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IPB09N03LA 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor
PDF文件:IPB09N03LA 数据手册 (10 页)
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IPB09N03LA 数据手册 (10 页)
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IPB09N03LA 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)25.0 V
额定电流50.0 A
封装TO-263-3
极性N-CH
功耗63W (Tc)
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
上升时间88.0 ns
输入电容值(Ciss)1642pF @15V(Vds)
额定功率(Max)63 W
耗散功率(Max)63W (Tc)
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IPB09N03LA 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPB09N03LA 数据手册

IPB09N03LA 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.3 MByte
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