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IPB107N20N3GATMA1
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IPB107N20N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPB107N20N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPB107N20N3GATMA1 数据手册 (11 页)
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IPB107N20N3GATMA1 数据手册 (11 页)
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IPB107N20N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率300 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0096 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)88A
上升时间26 ns
输入电容值(Ciss)5340pF @100V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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IPB107N20N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB107N20N3GATMA1 数据手册

IPB107N20N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.67 MByte
IPB107N20N3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB107N20N3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
IPB107N20N3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPB107N20N3GATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

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IPB107N20N3 数据手册
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IPB107N20N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB107N20N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
IPB107N20N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPB107N20N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
IPB107N20N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
200V,88A,N沟道功率MOSFET
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