类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 300 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0099 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 5340 pF |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 88A |
上升时间 | 26 ns |
输入电容值(Ciss) | 5340pF @100V(Vds) |
下降时间 | 11 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.36 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 9.45 mm |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
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INFINEON IPP110N20N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPP110N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V
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OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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