类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 300 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0175 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 5340 pF |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
漏源击穿电压 | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 64A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 5340pF @100V(Vds) |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 9.25 mm |
高度 | 4.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.74 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB200N25N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPB200N25N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件