| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0175 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 5340 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 64A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5340pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 高度 | 4.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
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INFINEON IPB200N25N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPB200N25N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
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OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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