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IPB200N25N3GATMA1
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IPB200N25N3GATMA1 数据手册 (11 页)
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IPB200N25N3GATMA1 技术参数、封装参数

IPB200N25N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

IPB200N25N3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.74 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
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IPB200N25N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB200N25N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPB200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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