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IPB123N10N3G
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IPB123N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-2
描述:Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPB123N10N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-2
极性N-Channel
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)1880pF @50V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)94 W
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IPB123N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
长度10.31 mm
宽度9.45 mm
高度4.57 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPB123N10N3G 数据手册

IPB123N10N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
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