| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电流 | 2 A |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.65 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电压(Max) | 5.5 V |
| 输入电压(Min) | 0 V |
| 输出电流(Max) | 2.8 A |
| 输入数 | 1 Input |
| 下降时间 | 19 µs |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1650 mW |
| 输入电压 | 5.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TA) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
功率电子开关 ZXMS6005N8-13 SO-8
Diodes Zetex（捷特科）
IntelliFET 自保护 MOSFET，Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET，集成了完整保护电路，可防止 ESD（静电敏感设备）、过电流、过电压和过温条件。短路保护，具有自动重启 过压保护（有源箝位） 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
IntelliFET 自保护 MOSFET，Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET，集成了完整保护电路，可防止 ESD（静电敏感设备）、过电流、过电压和过温条件。短路保护，具有自动重启 过压保护（有源箝位） 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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