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IPB65R065C7
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IPB65R065C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:IPB65R065C7 数据手册 (15 页)
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IPB65R065C7 数据手册 (15 页)
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IPB65R065C7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻58 mΩ
极性N-CH
功耗171 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)33A
上升时间14 ns
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IPB65R065C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPB65R065C7 数据手册

IPB65R065C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.75 MByte
IPB65R065C7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPB65R065C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPB65R065C7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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