类型 | 描述 |
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封装 | TO-247-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 255 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 31A |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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INFINEON IPW60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPW60R099CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099C6FKSA1, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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IPW60R099CPA 系列 600V 0.105 Ohm N沟道 CoolMOSTM 功率 晶体管-PG-TO-247-3
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场效应管(MOSFET) IPW60R099P7 TO-247-3
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的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
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