类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 5.7 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 150 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 90A |
上升时间 | 37 ns |
输入电容值(Ciss) | 4910pF @50V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 100 V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
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IPD068N10N3 系列 100 V 6.8 mOhm N沟道 OptiMOS®3 功率-晶体管 - PG-TO252-3
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Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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