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IPD200N15N3 G
来自 AiPCBA

IPD200N15N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:INFINEON  IPD200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPD200N15N3 G 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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IPD200N15N3 G 数据手册 (12 页)
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IPD200N15N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻16 mΩ
极性N-Channel
功耗150 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)150 V
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1820pF @75V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 W
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IPD200N15N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPD200N15N3 G 数据手册

IPD200N15N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.97 MByte
IPD200N15N3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD200N15N3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD200N15N3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPD200N15N3 G 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte

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INFINEON  IPD200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
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