| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 119 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 上升时间 | 6.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 773pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 92 W |
| 下降时间 | 7.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 92W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON IPD50R280CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V
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Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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晶体管, MOSFET, N沟道, 18.1 A, 500 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R280CEBTMA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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