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STF10LN80K5
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STF10LN80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP
PDF文件:STF10LN80K5 数据手册 (6 页)原理图在3 页
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焊盘图
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STF10LN80K5 数据手册 (6 页)
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STF10LN80K5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.55 Ω
极性N-Channel
功耗25 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)427pF @100V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)25W (Tc)
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STF10LN80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STF10LN80K5 数据手册

STF10LN80K5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.27 MByte
STF10LN80K5 产品设计参考手册
ST Microelectronics（意法半导体）
24 页 / 1.51 MByte
STF10LN80K5 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.55 MByte
STF10LN80K5 产品设计图
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.75 MByte
STF10LN80K5 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
27 页 / 0.85 MByte
STF10LN80K5 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.69 MByte

STF10LN80 数据手册

STF10LN80K5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP
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