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IPD50R380CEATMA1
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IPD50R380CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R380CEATMA1, 9.9 A, Vds=550 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
PDF文件:IPD50R380CEATMA1 数据手册 (14 页)
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IPD50R380CEATMA1 数据手册 (14 页)
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IPD50R380CEATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率73 W
漏源极电阻0.35 Ω
极性N-Channel
功耗73 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)9.9A
上升时间5.6 ns
输入电容值(Ciss)584pF @100V(Vds)
下降时间8.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)98W (Tc)
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IPD50R380CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPD50R380CEATMA1 数据手册

IPD50R380CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.11 MByte
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晶体管, MOSFET, N沟道, 14.1 A, 500 V, 0.35 ohm, 13 V, 3 V
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