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IPD50R500CE
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IPD50R500CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:500V,7.6A,500mOhm,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD50R500CE 数据手册 (2 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
IPD50R500CE 数据手册 (2 页)
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IPD50R500CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗57 W
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)7.6A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)433pF @100V(Vds)
额定功率(Max)57 W
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)57 W
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IPD50R500CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPD50R500CE 数据手册

IPD50R500CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.94 MByte
IPD50R500CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD50R500CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPD50R500CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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